Особенности
Производитель:
Samsung
Ёмкость накопителя (ГБ):
1000
Интерфейс подключения:
PCIe3.0 x4
NVMe протокол:
1.3
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
Скорость чтения (МБ/с):
3500
Скорость записи (МБ/с):
2700
Random Read IOPS:
500000
Random Write IOPS:
500000
Контроллер:
Samsung Phoenix
Тип ячеек памяти:
3D NAND MLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
1200
MTBF (Время на отказ), Мч:
1.5
DRAM кэш память, МБ:
1024
Гарантия, меcяцев:
60
