Особенности
Производитель:
Goodram
Ёмкость накопителя (ГБ):
1000
Интерфейс подключения:
PCIe4.0 x4
NVMe протокол:
1.4
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
Скорость чтения (МБ/с):
3600
Скорость записи (МБ/с):
2700
Random Read IOPS:
550000
Random Write IOPS:
600000
Контроллер:
Silicon Motion (SM)
Тип ячеек памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
300
MTBF (Время на отказ), Мч:
1.5
DRAM кэш память, МБ:
0
Гарантия, меcяцев:
36
