Особенности
Производитель:
Samsung
Ёмкость накопителя (ГБ):
500
Интерфейс подключения:
PCIe3.0 x4
NVMe протокол:
1.4
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
Скорость чтения (МБ/с):
3100
Скорость записи (МБ/с):
2600
Random Read IOPS:
400000
Random Write IOPS:
470000
Контроллер:
Samsung Pablo
Тип ячеек памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
300
MTBF (Время на отказ), Мч:
1.5
DRAM кэш память, МБ:
512
Гарантия, меcяцев:
60
