Особенности
Производитель:
Goodram
Ёмкость накопителя (ГБ):
256
Интерфейс подключения:
PCIe4.0 x4
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
NVMe протокол:
1.4
Скорость чтения (МБ/с):
3400
Скорость записи (МБ/с):
2000
Random Read IOPS:
440000
Random Write IOPS:
550000
Контроллер:
Silicon Motion (SM)
Тип памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
100
MTBF (Время на отказ), Мч:
2
DRAM кэш память, МБ:
0
Гарантия, меcяцев:
36
