Особенности
Производитель:
Goodram
Ёмкость накопителя (ГБ):
1024
Интерфейс подключения:
PCIe3.0 x4
NVMe протокол:
1.4
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
Скорость чтения (МБ/с):
3300
Скорость записи (МБ/с):
2700
Random Read IOPS:
230000
Random Write IOPS:
300000
Контроллер:
Silicon Motion (SM)
Тип ячеек памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
600
MTBF (Время на отказ), Мч:
1.5
DRAM кэш память, МБ:
0
Гарантия, меcяцев:
36
