Особенности
Производитель:
Goodram
Ёмкость накопителя (ГБ):
256
Интерфейс подключения:
PCIe3.0 x4
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
NVMe протокол:
1.4
Скорость чтения (МБ/с):
3200
Скорость записи (МБ/с):
1300
Random Read IOPS:
80000
Random Write IOPS:
250000
Контроллер:
Silicon Motion (SM)
Тип памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
150
MTBF (Время на отказ), Мч:
1.5
DRAM кэш память, МБ:
0
Гарантия, меcяцев:
36
