Особенности
Производитель:
Goodram
Ёмкость накопителя (ГБ):
500
Интерфейс подключения:
PCIe4.0 x4
NVMe протокол:
1.4
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
Скорость чтения (МБ/с):
4700
Скорость записи (МБ/с):
1700
Random Read IOPS:
350000
Random Write IOPS:
500000
Контроллер:
Phison
Тип ячеек памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
160
MTBF (Время на отказ), Мч:
2
DRAM кэш память, МБ:
0
Гарантия, меcяцев:
36
