Особенности
Производитель:
Samsung
Ёмкость накопителя (ГБ):
1000
Интерфейс подключения:
PCIe4.0 x4
NVMe протокол:
2.0
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
Скорость чтения (МБ/с):
7450
Скорость записи (МБ/с):
6900
Random Read IOPS:
1200000
Random Write IOPS:
1550000
Контроллер:
Samsung Pascal
Тип ячеек памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
600
MTBF (Время на отказ), Мч:
1.5
DRAM кэш память, МБ:
1024
Гарантия, меcяцев:
60
