Особенности
Производитель:
Samsung
Ёмкость накопителя (ГБ):
2000
Интерфейс подключения:
PCIe5.0 x4
NVMe протокол:
2.0
Форм-фактор (типоразмер) :
m.2 2280
Скорость чтения (МБ/с):
14700
Скорость записи (МБ/с):
13400
Random Read IOPS:
1850000
Random Write IOPS:
2600000
Контроллер:
Samsung Presto
Тип ячеек памяти:
3D NAND TLC
TBW (Гарантированная запись), ТБ:
1200
MTBF (Время на отказ), Мч:
1.5
DRAM кэш память, МБ:
2048
Гарантия, меcяцев:
60
